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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 35
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.8 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 17.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 3458

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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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