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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB

Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 35
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 10600
    周辺 2.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 3491

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Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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