RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 35
    周辺 -21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 3134

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
メモリRAM