RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 -30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.4 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 3711

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB RAMの比較

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
メモリRAM