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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    14 left arrow 35
    周辺 -150% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    26.4 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.8 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 14
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 26.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 19.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 4362

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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 9905624-045.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Kingston 9965662-015.A00G 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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メモリRAM
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