RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 35
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 14.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 3149

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
メモリRAM