RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 35
    周辺 -6% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 2947

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAMの比較

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
メモリRAM