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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
総合得点
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
39
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
12.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
7.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
36
読み出し速度、GB/s
12.8
14.6
書き込み速度、GB/秒
7.4
10.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1770
2760
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAMの比較
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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