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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

総合得点
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

総合得点
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 53
    周辺 26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 10.3
    テスト平均値
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    12.8 left arrow 10.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1770 left arrow 2356

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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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