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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

総合得点
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 71
    周辺 45% 低遅延
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB 考慮すべき理由
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1749 left arrow 1866

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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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