RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
比較する
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
65
周辺 40% 低遅延
考慮すべき理由
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
65
読み出し速度、GB/s
11.7
16.4
書き込み速度、GB/秒
7.2
8.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
2041
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAMの比較
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link