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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
39
周辺 -34% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.8
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
29
読み出し速度、GB/s
11.7
18.0
書き込み速度、GB/秒
7.2
14.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
3637
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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