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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
39
周辺 -50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.3
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.7
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
26
読み出し速度、GB/s
11.7
19.3
書き込み速度、GB/秒
7.2
16.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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