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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
39
周辺 -15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.2
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
34
読み出し速度、GB/s
11.7
17.9
書き込み速度、GB/秒
7.2
15.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
3634
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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