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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

総合得点
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 69
    周辺 43% 低遅延
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB 考慮すべき理由
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 69
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1749 left arrow 1576

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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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