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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
39
周辺 -44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
27
読み出し速度、GB/s
11.7
18.5
書き込み速度、GB/秒
7.2
13.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
3061
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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