Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

総合得点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

バグを報告する

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 39

周辺 -63% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

14.3 11.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

10.6 7.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

39 24
読み出し速度、GB/s

11.7 14.3
書き込み速度、GB/秒

7.2 10.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1749 2913

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB

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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB

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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB

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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

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G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

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