Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

総合得点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

バグを報告する

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 39

周辺 -56% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

20.1 11.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

18.3 7.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

39 25
読み出し速度、GB/s

11.7 20.1
書き込み速度、GB/秒

7.2 18.3
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1749 4174

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB