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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

総合得点
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 39
    周辺 -22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1749 left arrow 2824

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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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