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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

総合得点
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 39
    周辺 -22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1749 left arrow 2585

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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