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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
比較する
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
73
周辺 47% 低遅延
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
73
読み出し速度、GB/s
11.7
14.4
書き込み速度、GB/秒
7.2
7.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
1842
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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