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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
39
周辺 -39% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.1
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
10600
周辺 2.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
28
読み出し速度、GB/s
11.7
17.5
書き込み速度、GB/秒
7.2
16.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
23400
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
3758
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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