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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB

総合得点
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 39
    周辺 -22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1749 left arrow 3054

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Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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