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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
比較する
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
総合得点
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
総合得点
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
56
周辺 -56% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
1,813.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
36
読み出し速度、GB/s
4,387.7
17.4
書き込み速度、GB/秒
1,813.5
11.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
693
2876
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
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Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
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