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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比較する
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
総合得点
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
総合得点
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.8
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
56
周辺 -60% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
1,813.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
35
読み出し速度、GB/s
4,387.7
15.8
書き込み速度、GB/秒
1,813.5
12.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
693
2927
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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