RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
Super Talent F3200UA8G 8GB

Super Talent F3200UA8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    56 left arrow 58
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.9
    テスト平均値
Super Talent F3200UA8G 8GB 考慮すべき理由
Super Talent F3200UA8G 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 1,813.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    56 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    4,387.7 left arrow 18.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,813.5 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    693 left arrow 2250

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAMの比較

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

Super Talent F3200UA8G 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
メモリRAM