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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
総合得点
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
52
周辺 -100% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.3
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
14900
周辺 1.43 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
26
読み出し速度、GB/s
9.7
18.2
書き込み速度、GB/秒
7.2
17.3
メモリ帯域幅、mbps
14900
21300
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2173
3938
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAMの比較
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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