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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

総合得点
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

総合得点
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 78
    周辺 33% 低遅延
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB 考慮すべき理由
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 14900
    周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 78
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2173 left arrow 2113

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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 9905734-073.A00G 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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