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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
総合得点
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
52
周辺 -53% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
14900
周辺 1.29 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
34
読み出し速度、GB/s
9.7
15.4
書き込み速度、GB/秒
7.2
12.2
メモリ帯域幅、mbps
14900
19200
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2173
2583
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905402-015.A05LF 1GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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