RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 85
    周辺 68% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.0
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 85
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 11.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2275 left arrow 1118

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
メモリRAM
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
メモリRAM