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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

総合得点
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 28
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2213 left arrow 3800

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Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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メモリRAM
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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