RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 49
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2427 left arrow 3075

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
メモリRAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre 8GB
Kllisre 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM