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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
49
周辺 -75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.9
8.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
28
読み出し速度、GB/s
10.9
13.7
書き込み速度、GB/秒
8.7
10.9
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2427
2505
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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