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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
49
周辺 -63% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
8.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
30
読み出し速度、GB/s
10.9
17.9
書き込み速度、GB/秒
8.7
13.3
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2427
3226
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAMの比較
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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