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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
比較する
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
70
周辺 30% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
8.3
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
10.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
70
読み出し速度、GB/s
10.9
15.4
書き込み速度、GB/秒
8.7
8.3
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2427
1923
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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