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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
比較する
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
10.9
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
7.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
49
周辺 -32% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
37
読み出し速度、GB/s
10.9
9.8
書き込み速度、GB/秒
8.7
7.9
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2427
2229
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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