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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比較する
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
53
周辺 8% 低遅延
考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
20
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.4
8.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
53
読み出し速度、GB/s
10.9
20.0
書き込み速度、GB/秒
8.7
9.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2427
2366
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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