RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 61
    周辺 -144% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 6.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR5
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    8.2 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.4 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1813 left arrow 3098

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB RAMの比較

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
メモリRAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
メモリRAM