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Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

総合得点
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Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 57
    周辺 9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 7.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 57
  • 読み出し速度、GB/s
    10.0 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2306 left arrow 2233

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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