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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
49
周辺 -96% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.2
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.2
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
25
読み出し速度、GB/s
10.2
20.2
書き込み速度、GB/秒
8.1
17.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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4106
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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