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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
49
周辺 -75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
28
読み出し速度、GB/s
10.2
17.6
書き込み速度、GB/秒
8.1
15.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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