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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
相違点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
49
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
37
読み出し速度、GB/s
10.2
15.5
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2465
2813
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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