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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
49
周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.9
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
33
読み出し速度、GB/s
10.2
15.9
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2465
2994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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