RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 49
    周辺 -123% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 13.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 3192

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
メモリRAM