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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
49
周辺 -75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
28
読み出し速度、GB/s
10.2
16.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2465
2901
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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