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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB 考慮すべき理由
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 49
    周辺 -69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 3451

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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Inmos + 256MB
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メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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メモリRAM
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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メモリRAM
Kingston KF560C40-16 16GB
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