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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Inmos + 256MB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
総合得点
Inmos + 256MB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Inmos + 256MB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
49
周辺 -63% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.5
10.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
16800
12800
周辺 1.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
30
読み出し速度、GB/s
10.2
11.5
書き込み速度、GB/秒
8.1
9.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
16800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2465
2318
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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