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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    48 left arrow 49
    周辺 -2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2196

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