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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 49
    周辺 -96% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2450

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メモリRAM
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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メモリRAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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