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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 49
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 13.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2419

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Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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